SEG Elektronik, mit Universal-Steckplatte

Der Gerätesatz enthält alle Bauelemente und Geräte, die zur Durchführung von Versuchen zu Funktion und Verhalten elektronischer Bauelemente und Schaltungen notwendig sind. Somit lassen sich die grundlegenden Eigenschaften von Halbleiterbauelementen in Einzeluntersuchungen ermitteln. Darüber hinaus stehen zahlreiche Versuche zum Zusammenwirken elektronischer Bauteile in elektronischen Standardschaltungen und praktischen Anwendungen zur Verfügung. Anhand einer Versuchsanordnung können Experimente zur Übertragung von Sprache und Musik durch Licht durchgeführt werden. Der Schülerexperimentier-Gerätesatz Elektronik wird mit einer ausführlichen Versuchsanleitung und Lehrerhandreichung geliefert. Die Versuchsanleitung enthält Kopiervorlagen mit der Beschreibung der Versuchsdurchführung und Fragen zu den Versuchen. In der Lehrerhandreichung finden Sie Antworten zu den Fragen aus der Versuchsanleitung. Alle Einzelteile sind in einer stabilen Kunststoffwanne (312 x 427 x 75 mm) mit Schaumstoffeinsatz und Deckel untergebracht. Material für 1 Schülergruppe: Diode – Grundschaltung, Diode – Kennlinie, Diode als Gleichrichter, Leuchtdiode – Grundschaltung, Spannungsteiler, Brückenschaltung, NTC-Widerstand – Grundschaltung, PTC-Widerstand – Grundschaltung, Fotowiderstand – Grundschaltung, Transistor – Kennlinie, Transistor als Schalter, Transistor als Verstärker, Transistor als Stellwiderstand, Transistor in Emitterschaltung, Transistor in Kollektorschaltung, Lichtsteuerung (2 Versuche), Lichtschranke – Hellschaltung, Lichtschranke – Dunkelschaltung, Dämmerungsschalter, Kurzzeitschalter, Langzeitschalter, Temperaturabhängige Steuerung mit NTC-Widerstand, Temperaturabhängige Steuerung mit PTC-Widerstand, Temperaturwächter mit NTC-Widerstand, Temperaturwächter mit PTC-Widerstand, Blinkgeber, Schmitt-Trigger, Feuchtigkeitsschalter, Trockenheitsschalter, Differenzverstärker, Astabiler Multivibrator, Monostabiler Multivibrator, Bistabiler Multivibrator UND-Schaltung, ODER-Schaltung, NAND-Schaltung, Feldeffekttransistor – Prinzip,